电子行业化合物半导体系列报告之二：碳化硅，国内衬底厂商加速布局-20230621-申万宏源

1. 报告编号：147603
2. 报告名称：电子行业化合物半导体系列报告之二：碳化硅，国内衬底厂商加速布局-20230621-申万宏源
3. 报告来源：互联网用户上传
4. 关键词：行研报告
5. 报告页数：23 页
6. 预览页数：6
7. 报告格式：pdf
8. 上传时间：2024-08-07
9. 简介摘要: (原创分析) 本报告对碳化硅衬底市场进行了深度研究，指出碳化硅衬底市场具有高温、高压等优势，且渗透率提升空间大。随着应用场景的提升，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料发展迅速，其中碳化硅在高压、高频、高功率等领域具有广泛应用。报告分析了碳化硅产业链，包括衬底、外延、器件和终端应用等环节，并指出衬底占碳化硅器件制造成本的47%，其中晶体生长是核心难点，国内衬底良率偏低。报告还分析了衬底市场的竞争格局，指出国产衬底厂商进展超预期，并给出了投资分析意见，建议关注国产衬底厂商布局进展，并指出天岳先进、天科合达、东尼电子等具备SiC全产业链一体化布局的三安光电为重点关注对象。同时，报告也提醒投资者注意碳化硅渗透率提升不及预期、国产厂商产能及良率提升不及预期的风险。

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