SiC行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇-东吴证券-2023.8.21

  1. 报告编号:155772
  2. 报告名称:SiC行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇-东吴证券-2023.8.21
  3. 报告来源:互联网用户上传
  4. 关键词:行研报告
  5. 报告页数:75 页
  6. 预览页数:6
  7. 报告格式:pdf
  8. 上传时间:2024-08-03
  9. 简介摘要: (原创分析) 本文总结了碳化硅(SiC)行业概况、衬底和外延环节的材料+设备国产化机遇。SiC作为第三代半导体材料,具有耐高压、耐高频和耐高温的优势,在新能源汽车和光伏发电领域有广泛应用。随着新能源汽车渗透率的提升,SiC衬底和外延环节的市场需求增长。国内衬底材料端良率提升是关键,设备端生长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升。SiC产业链70%价值集中在衬底和外延环节,其中衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%。 衬底环节,国产SiC衬底片厂商良率持续提升,降低衬底成本,提升SiC应用渗透率;长切磨抛设备商打破国外垄断,加速国产化。外延环节,国外外延设备产能不足、交期缓慢,利好国产替代。预计到2025年,全球/国内6寸碳化硅衬底、单晶炉、切片设备、磨抛设备、外延炉以及激光切割设备的新增市场空间分别为约380/156亿元、100/40亿元、30/13亿元、56/23亿元、130/53亿元和5/2亿元,对应2023-2025年复合年增长率(CAGR)为78%/90%、63%/75%、48%/58%、81%/94%、75%/88%和60%/71%。 国内碳化硅衬底已具备量产能力,正在积极布局8寸衬底;外延设备由国外主导,未来有望快速实现国产替代。国内龙头厂商在碳化硅衬底和外延环节已有所突破,并在设备上实现国产化。未来,碳化硅衬底和外延设备的国产化将加速,推动SiC器件的规模化生产。 投资建议方面,推荐晶盛机电(SiC衬底片&外延炉)、迈为股份(SiC研磨机)、高测股份(SiC金刚线切片机)、德龙激光(SiC激光切片&划片机)、北方华创(SiC外延炉)等。同时,也建议关注晶升股份(SiC长晶炉)、大族激光(SiC激光切片&划片机)、纳设智能(SiC外延炉)等公司。 风险提示包括新能源车销量风险、碳化硅渗透率提升风险、SiC设备国产化率提升不及预期、各家厂商技术研发不及预期。

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