电子元器件：3D NAND存储器研发重大突破，加速产业化_民生证券
- 报告编号：277338
- 报告名称：电子元器件：3D NAND存储器研发重大突破，加速产业化_民生证券
- 报告来源：互联网用户上传
- 关键词：行研报告
- 报告页数：4 页
- 预览页数：2
- 报告格式：pdf
- 上传时间：2024-09-15
- 简介摘要: (原创分析) 这份研究报告主要关注了电子元器件行业中的3D NAND Flash存储器的研究进展和产业前景。报告指出，近期长江存储和中科院微电子所联合研发的32层3D NAND Flash芯片已通过各项测试，标志着国内在3D NAND Flash领域取得里程碑式进展。该研究成果为产业化打下了坚实基础，并有望缩小与国外同行的技术差距。 报告还分析了3D NAND Flash存储器的技术优势，认为其在性能、容量、可靠性和成本方面相比传统的2D NAND具有竞争优势，将成为存储器的主流技术。同时，报告指出国内存储器产业正在快速崛起，而3D NAND Flash存储器是国内存储器产业快速发展的捷径。 报告还给出了投资建议，认为这一领域的快速发展将利好A股相关半导体存储器、材料以及设备公司，并重点推荐了几家相关公司。 最后，报告还给出了风险提示，包括政策推进、关键技术突破和新兴领域发展可能不及预期的风险。 总的来说，这是一份关于电子元器件行业中3D NAND Flash存储器的研究报告，涵盖了该领域的研究进展、技术优势、产业前景、投资机会和风险提示。请注意，投资有风险，决策需谨慎。
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