半导体行业深度二：存储拐点将至，新需求点亮曙光_国金证券
- 报告编号：410630
- 报告名称：半导体行业深度二：存储拐点将至，新需求点亮曙光_国金证券
- 报告来源：互联网用户上传
- 关键词：行研报告
- 报告页数：43 页
- 预览页数：6
- 报告格式：pdf
- 上传时间：2024-09-19
- 简介摘要: (原创分析) HBM作为一种新型的高带宽、高附加值DRAM产品，通过其独特的3D堆叠和近存储运算技术，成功突破了传统存储器在内存容量和带宽方面的限制，成为处理大数据和复杂计算任务的理想解决方案。随着AI技术的快速发展和AI服务器的广泛应用，对高性能存储的需求激增，HBM有望在未来持续增长。 在存储芯片市场中，DRAM和Flash是市场主流，其中NAND Flash在消费级应用中的份额较大，而NOR Flash在嵌入式系统和车规级应用中占据主导地位。NOR Flash经历长期的低迷期后，随着新兴市场的快速发展，其市场规模逐渐回升，并有望在未来继续增长。 中国作为全球最大的半导体消费市场，正在经历第三次半导体产业的转移，存储行业作为其中的重要一环，具有巨大的发展潜力和国产替代空间。国内厂商在存储芯片领域的技术追赶和市场布局取得了一定成果，未来有望在存储芯片市场中占据更重要的位置。 总体来看，存储芯片市场正面临技术更新和产业升级的机遇，国内外厂商都在积极布局，寻求竞争优势。HBM等高性能存储技术的应用将进一步推动存储行业的创新和发展。
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